1、用于熱處理氣體冷卻的夾具包括具有多個(gè)突出部分的夾持板，該多個(gè)突出部分限定了在其之間的間隙，在其中間隙的距離或深度與在其內(nèi)的冷卻氣體的平均路徑關(guān)聯(lián)。氣體冷卻的夾具還包括壓力控制系統(tǒng)，該壓力控制系統(tǒng)是可操作的，以對(duì)在多個(gè)間隙內(nèi)的冷卻氣體的背側(cè)壓力進(jìn)行控制，這樣以對(duì)冷卻氣體的熱傳導(dǎo)系數(shù)進(jìn)行控制，在其中冷卻氣體的熱傳導(dǎo)系數(shù)主要是壓力的函數(shù)并且大致是不依賴于間隙距離的。
2、用于半導(dǎo)體晶片用熱處理夾具，是在其上面搭載半導(dǎo)體晶片并進(jìn)行熱處理的圓盤形狀的熱處理夾具，通過使其厚度在1。0mm以上、100mm以下，且使與所述晶片接觸的面的表面粗糙度(Ra值)為0。1μm以上，100μm以下，對(duì)在同心圓方向以及直徑方向其平坦度進(jìn)行規(guī)定，或者代替所述平坦度，通過多點(diǎn)平面度測(cè)定對(duì)在各個(gè)區(qū)域的最大高度進(jìn)行測(cè)定，使與所求出的假想平均值面的差值在50μm以下，從而能夠降低因半導(dǎo)體晶片與熱處理夾具的粘合而產(chǎn)生的劃傷。這樣，即使在對(duì)自重應(yīng)力較大的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行熱處理的情況下，也能夠有效防止劃傷的產(chǎn)生，能廣泛應(yīng)用作為穩(wěn)定的半導(dǎo)體基板用的熱處理夾具。
離子氮化爐使用一段時(shí)間后，爐壁、隔熱屏、陰極盤、等處均或多或少地要附著一定量的碳黑沉積物。如果不及時(shí)清理，在輝光離子氮化處理過程中這些黑色沉積物就會(huì)掉落到被處理零件上，對(duì)氮化質(zhì)量有一定的影響。為此，我們每天處理一爐后，就用砂紙將陰極盤、陽極等處的碳黑進(jìn)行擦除，并用高壓風(fēng)吹凈；每周擦一次隔熱屏，并定期對(duì)隔熱屏及零部件所用的工裝夾具進(jìn)行噴砂處理，以確保氮化爐的正常運(yùn)行。
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