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        離子滲氮設(shè)備的滅弧電路是設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)之一。在離子滲氮過程中，由于各種原因輝光放電轉(zhuǎn)變?yōu)榛」夥烹?，如不采取措施，就會中止?jié)B氮過程，嚴(yán)重時會熔燒工件，甚至順壞電源設(shè)備。滲氮零件表面的清潔，烘燒等雖可減少弧光放電的次數(shù)，但在清理階段不可避免地還會出現(xiàn)弧光放電，故設(shè)備必須帶有滅弧措施。
各種滅弧方法：
（1）串聯(lián)大阻值電阻
        串聯(lián)大阻值電阻，當(dāng)打弧時，電流猛增，在電阻上產(chǎn)生很大的電壓降，從而使正負(fù)極間電壓低于電弧點燃電壓，而使電弧不能維持，同時也限制了電弧電流不至過大。對電流超過10A的設(shè)備在生產(chǎn)中實際應(yīng)用還有一定的困難。
（2）電流截止負(fù)反饋滅弧
        嚴(yán)格說來，固定某一值的電流截止負(fù)反饋并不是滅弧，因為在大功率設(shè)備中，電流截止值往往在幾十安，這樣大的電流已經(jīng)足以維持穩(wěn)定電弧放電，而不會自動熄滅，由于可控硅觸發(fā)后必須等電壓換相時才能停止，隱刺在半周內(nèi)電流值可能達(dá)到很大，這種滅弧方法時間約為10毫秒。
（3）L.C振蕩滅弧
        L.C振蕩滅弧電路是一種簡單可靠地滅弧方法，尤其是離子滲氮的清理零件表面階段，能以較快的速度利用弧光放電來打掉表面的污物，但其連續(xù)振蕩的能量較大，對一些精密件，特別是需要保留銳角邊的零件不合適。

 
（4）可控硅旁路滅弧
        可控硅旁路滅弧是快速滅弧的一種方法，它每次滅弧時間雖快，但因可控硅靠振蕩關(guān)斷，而電源向陰陽極間輸電尚未停止，故立即又加上了電壓，而打弧因素尚未消除，故隨即又發(fā)生打弧，再次旁路，反復(fù)多次直至電源截止時弧光才真正熄滅，故在實際使用中，性能與L.C振蕩相近。

（5）電子開關(guān)滅弧：
        我國已經(jīng)制成了幾種電路的快速滅弧電子開關(guān)，已經(jīng)在最大的500KW設(shè)備上使用，其滅弧時間可達(dá)10-5秒數(shù)量級。
        豐東股份致力于等離子滲氮技術(shù)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，成功研制出全新一代具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型等離子滲氮熱處理設(shè)備，并發(fā)展出與之配套的等離子滲氮熱處理新工藝。全新一代等離子滲氮爐集獨特的結(jié)構(gòu)形式，先進(jìn)的控制手段、多種復(fù)合技術(shù)于一身，能耗更低、排放更少，熱處理工藝水平大幅提升，處理質(zhì)量更加穩(wěn)定可靠。歡迎新老客戶來電咨詢，電話：4006577217。